Os investigadores norte-americanos lembram que actual tecnologia de transístores está debater-se com cada vez maiores dificuldades para dar seguimento à miniaturização da electrónica. Pelo que os memristores podem, a médio prazo, ajudar a produzir memórias cada mais pequenas e de maior capacidade que as tecnologias actuais.
A indústria actual está a trabalhar com transístores de 30 a 40 nanómetros, mas a equipa da HP desenvolveu memristores de três nanómetros, que se ligam e desligam a velocidades de um nanosegundo (mil milhões de vezes mais pequeno que um segundo), noticia o The New York Times.
Depois de ter alcançado a capacidade das soluções hoje comercializadas nas memórias flash, os mentores do projecto acreditam estar em condições de dar um passo em frente na densidade dos dispositivos de armazenamento com o lançamento de dispositivos que permitem armazenar 20GB por centímetro quadrado.
Para alcançarem o feito agora divulgado, os investigadores desenvolveram um sistema que movimenta átomos através da passagem de energia eléctrica numa película ultrafina de dióxido de titânio.
A deslocação dos átomos não só é utilizada para armazenar nova informação como permite manter dados quando não há corrente eléctrica.
Os investigadores norte-americanos acreditam que esta solução pode ajudar a criar leitores de MP3, câmaras de filmar, ou memórias portáteis mais pequenas e com maior capacidade de armazenamento.
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